Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Saddow S.E., Agarwal A. Advances in Silicon Carbide Processing and Applications

  • Файл формата pdf
  • размером 6,22 МБ
  • Добавлен пользователем
  • Описание отредактировано
Saddow S.E., Agarwal A. Advances in Silicon Carbide Processing and Applications
Монография. Boston-London, Artech House, Inc., 2004, 212 pp.
Silicon Carbide Overview
General Properties
High-Temperature SiC-FET Chemical Gas Sensors CHAPTER 3
Silicon Carbide Technology and Power Electronics Applications
Advances in Selective Doping of SiC Via Ion Implantation
Power SiC MOSFETS
Power and RF BJTs in 4H-SiC: Device Design and Technology
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация