Фалькевич Э.С. и др. Технология полупроводникового кремния

М.: Металлургия, 1992. — 408 с.: ил. — ISBN: 5-229-00740-0.Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния, процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное, способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его применения. Значительное внимание уделено контролю качества продукции, технике безопасности в кремниевом производстве.
Для инженерно-технических работников и специалистов полупроводниковой промышленности, студентов.Предисловие.
Физико-химические основы получения полупроводникового кремния
Современные представления о строении веществ.
Кинетические явления.
Основы термодинамики.
Механизм фазового перехода.
Структура межфазной границы раздела.
Рост кристаллов из жидкой и газовой фаз.
Свойства полупроводникового кремния и методы их контроля
Физико-химические свойства кремния.
Параметры и методы их определения.
Методы получения чистого кремния, оборудование и технология промежуточных кремнийсодержащих соединений
Производство чистого кремния.
Получение технического кремния.
Получение силанов.
Очистка соединений кремния методом ректификации.
Контроль качества кремний со держащих соединений.
Технология и оборудование для получения поликристаллических кремниевых стержней
Получение кремниевых стержней в процессе водородного восстановления хлорсиланов.
Получение кремниевых стержней термическим разложением силана.
Выращивание монокристаллов кремния из расплава
Метод Чохральского.
Бестигельная зонная плавка.
Чистота и микроклимат в производственных помещениях.
Вспомогательные технологические газы и оборудование
Технологические газы.
Криогенная техника.
Холодильные машины.
Вакуумное оборудование.
Очистка воды.
Материалы аппаратов.
Основные элементы техники безопасности
Библиографический список